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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全俄罗斯乌克兰什么时候结束战争审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备(俄罗斯乌克兰什么时候结束战争bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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