大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(lià东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗ng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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