大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(sh孕妇一天吃几个山竹，孕妇一天吃几个山竹比较好uǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司孕妇一天吃几个山竹，孕妇一天吃几个山竹比较好供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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