大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)希望的拼音是什么进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设(希望的拼音是什么shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光希望的拼音是什么公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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