大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产(c等不及了在车上就弄到了高c，在车上迫不及待hǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(等不及了在车上就弄到了高c，在车上迫不及待zhǎng)。

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