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一个立一个羽念什么字

一个立一个羽念什么字 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家(jiā)好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

  审(shěn)查发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全(quán)风险,影响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求(qiú),欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络安全(quán)审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士,国内(nèi)长江(ji一个立一个羽念什么字āng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND一个立一个羽念什么字产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉(chén)积)等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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