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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(三国时期中国有多少人口面积，三国时期中国有多少人口和面积sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn三国时期中国有多少人口面积，三国时期中国有多少人口和面积)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科三国时期中国有多少人口面积，三国时期中国有多少人口和面积技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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