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　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安(ān)全如来佛祖最怕的一个人，如来佛祖的克星是谁。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律如来佛祖最怕的一个人，如来佛祖的克星是谁法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子如来佛祖最怕的一个人，如来佛祖的克星是谁披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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