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　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场a4纸一半大的照片是几寸的啊，a4的一半大小的照片是什么尺寸份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎia4纸一半大的照片是几寸的啊，a4的一半大小的照片是什么尺寸)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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