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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查张学良多高，少帅张学良多高rong>

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，202张学良多高，少帅张学良多高1 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。