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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键(jià腰围88是多少 腰围88是多少码n)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，腰围88是多少 腰围88是多少码国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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