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中国的国粹有哪些

中国的国粹有哪些 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)中国的国粹有哪些司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发(fā)现,美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规,我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司中国的国粹有哪些产品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全,是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求,欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中(zhōng)国出(chū)手:停(tíng)止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信(xìn)网发文称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商,采购约31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì),公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前就分析(xī),如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美(měi)国限制名单,设(shè)备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等相关公司份额提升(shēng),以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入(rù)增长。

 

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