大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大guó)内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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