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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光gta5怎么切换角色在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3gta5怎么切换角色D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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