大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

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　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　350开头的身份证是哪里的g alt="半(bàn)导(dǎo)体突发！中国出(chū)手：停(tíng)止(zhǐ)采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png"350开头的身份证是哪里的>

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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