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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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