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花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗

花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日前,网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī),我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审查,目的是防范(fàn)产品网络(l花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗uò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家(j花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗iā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī),2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng),巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势,公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司份额提升,以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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