大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　公立小学一年级收费标准明细表，公立小学一年级收费标准表g>美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yá公立小学一年级收费标准明细表，公立小学一年级收费标准表n)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(r公立小学一年级收费标准明细表，公立小学一年级收费标准表én)民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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