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敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步

敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步

  审查发(fā)现,美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查,目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全,是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng),只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出(chū)手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán),防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险,维(wéi)护国家安(ān)全(quán),依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全(quán)球(qiú)敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一,2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额(é)约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商(s敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步hāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

  有券商此(cǐ)前就分析(xī),如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制,或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析称,长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān),设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

 

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